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第108期
0.09微米工艺,1200亿晶体管是何概念
VR-ZONE同英特尔处理器构架和系统部分的负责人Mark Bohr进行了一次远程视频会议，当然这次交谈收获也是颇丰，我们了解到许多关于明年就要来到的0.09微米工艺技术的消息。
 
从与Mark Bohr谈话中我们了解到，英特尔计划从明年开始把0.09微米技术应用于高速微处理器、闪存、和其他一些芯片的生产中。英特尔现在已经成功的制造出基于0.09微米技术的原型产品和SRAM（静态存储器）芯片。0.09微米工艺制造的SRAM芯片，每一个面积单位可以包含6个晶体管，52Mbit将包含了3.3亿个晶体管，而且它的面积将比0.13微米的面积缩小一倍。这对英特尔提高处理器的Caches容量和速度益处非浅，其性能会比现在更高，功耗会比现在更低。
| Process Name |
P854 |
P856 |
P858 |
Px60 |
P1262 |
P1264 |
| 1st
Production |
1995 |
1997 |
1999 |
2001 |
2003 |
2005 |
| Lithography
|
0.35 |
0.25 |
0.18 |
0.13 |
0.09 |
0.065 |
| Gate
Length |
0.35 |
0.20 |
0.13 |
<0.07 |
<0.05 |
<0.035 |
英特尔的Pentium 4 "Prescott"处理器将会使用0.09微米制造工艺。在同样面积的300mm直径圆晶硅上，它将会比现在0.13微米工艺的产量提高一倍。每一个晶片将能包含1200亿个晶体管。
资料来源：PCPOP
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